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DDR4与DDR5的对比DDR（Double Data Rate）是动态随机存取存储器的一种，目前计算机普遍使用的为DDR4。在DDR4技术中，内存以时钟...

DDR4与DDR5的对比DDR（Double Data Rate）是动态随机存取存储器的一种，目前计算机普遍使用的为DDR4。在DDR4技术中，内存以时钟周期的上升沿和下降沿读取数据，从而在每个时钟周期可以读取两次数据，理论上讲，内存带宽可以增加一倍。DDR5是DDR4的下一代内存技术，单条通道带宽较DDR4增加了一倍，达到6400MT/s，这主要得益于其采用了以下新技术：速度提升DDR5的物理基础速度从DDR4的2133MHz提升至4266MHz双倍数据速率DDR5每个时钟周期的数据可以从DDR4的1个增至2个，也就是在每个时钟周期上，DDR5内存读取数据的速度是DDR4的两倍电压降低DDR5将电压从DDR4的1.2V降至1.1V。更低的电压意味着更低的功耗，从而带来更佳的能效DDR5新技术介绍1. 速度提升DDR5将内存的基础速度提高了一倍，达到4266MHz。这意味着每个时钟周期内存可以读取或写入更多的数据。与DDR4相比，DDR5的带宽在理论上增加了近一倍。2. 双倍数据速率DDR5采用了新的预读取设计，每个时钟周期可以从DDR4的1个增至2个数据单元。这意味着在每个时钟周期上，DDR5内存读取数据的速度是DDR4的两倍。3. 电压降低DDR5将电压从DDR4的1.2V降至1.1V，更低的电压意味着更低的功耗。这意味着内存模块可以运行得更凉爽，也意味着能效的提高。这种电压的降低可以帮助减少电源的负担，从而使得整个系统更加稳定和可靠。4. CASlatency（CL）降低CAS latency（CL）是内存性能的一个重要指标。它表示内存读取数据的延迟。在DDR4中，CL通常在11-15之间。而在DDR5中，CL被显著降低至7-8。这大大提高了内存的读写性能。5. 扩展温度范围DDR5内存模块设计了扩展温度范围（Extended Temperature Range, ETR），可以在比DDR4更宽的温度范围内工作。这使得DDR5能够适应更多的应用场景，包括服务器和高性能计算等对温度范围有更高要求的环境。6. 增强错误纠正技术DDR5引入了增强错误纠正技术（Error Correcting Code, ECC）。这种技术可以检测并纠正存储在内存中的数据错误，从而提高数据的完整性和可靠性。这对于需要高数据完整性的应用场景（如服务器和工作站）尤其重要。DDR5性能提升总结通过采用以上的新技术，DDR5相比DDR4在性能上有了显著的提升：带宽增加通过提高基础速度和数据速率，DDR5的带宽在理论上可以达到DDR4的两倍。这大大提高了内存的数据吞吐能力能效提高由于电压的降低和CL的减少，DDR5的功耗相比DDR4大大降低，提高了能效。这意味着计算机在运行时可以更加省电，也可以带来更稳定的性能温度适应性增强通过扩展温度范围的设计，DDR5可以在更宽的温度范围内工作，适应更多的应用场景数据完整性增强通过引入增强错误纠正技术（ECC），DDR5可以检测并纠正内存中的数据错误，提高数据的完整性和可靠性。这对于需要高数据完整性的应用场景（如服务器和工作站）尤其重要