传感器PNP型NPN型 BJT型 IGBT型的结构 工作原理 作用及应用PPT
传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将检测到的信息按一定的规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录...
传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将检测到的信息按一定的规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动检测和自动控制的首要环节。PNP型和NPN型PNP型和NPN型是两种不同的三极管结构。三极管是在半导体基片上制作两个高纯度P型半导体之间形成的PN结，半导体素材是一层形如一只三极管，以二维的方式来表达，左右两种类型为主动半导体素材会沿着中心店不断往前扩散，在两个主动半导体之间连接的含很多载流子的半导体称为基片（基底），这种两侧表面均为P型半导体，中间夹有含载流子浓度低的N型半导体构成类似三极管的三结太阳能电池。其电子与空穴相比较，将会流向结构内的电路半导体并循环迥转，称之为“持续偏压下的PN结”。 它因有基极（base）与发射极（emitter）正负电位差，而使电子朝向发射极移动。但是，若从发射极与基极之间加以反向电压（逆向电位差或称“逆压”），则电源和电流将转变为由反方向流往发射极的特性，称之为“反向阻断”。PNP型PNP型三极管由两个P型半导体之间夹着1个N型半导体构成的三极管。PNP型三极管是由两个P型区域中间夹着1个N型半导体构成的三层半导体器件。NPN型NPN型三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，中间是P型半导体，两侧是两个N型半导体。 它是一种广泛应用的晶体管。晶体管是短距离或微距离的二极管。晶体管用于放大器、振荡器和开关设备。BJT型和IGBT型BJT型双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）： BJT是微电子器件中的一种。是一个“PN”结的构造再加上两条对称的多子（又称多数载流子）导体引线。它是构成二极体与太阳能电池的构造基础。也称为半导体三极管或晶体三极管。IGBT型绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种由双极开关与绝缘栅场效应晶体管组合而成的器件。它结合了这两种器件的优点：驱动电路简单、电压控制、高速开关及低导通压降。IGBT在电力电子领域应用十分广泛，如变频器、直流输电、新能源发电等。结构和工作原理BJT型结构和工作原理BJT的结构是由两个高浓度杂质扩散到半导体中形成的PN结组成。在两个高浓度区域之间有一个低浓度的N区，这个区域称为基区。在基区的两侧分别是发射区和集电区。当在发射区和集电区之间施加电压时，载流子会从发射区流向集电区，形成电流。但是，由于PN结的特性，电流不是直线流动的，而是通过量子隧穿效应穿过PN结到达集电区。在基区的两端，也就是发射区和集电区的边缘，载流子的速度会降低并开始扩散。这种扩散导致了一个电场，这个电场会阻止载流子的进一步扩散。当载流子在基区中的速度降低到足够小的时候，它们会被陷阱捕获并产生一个空穴。这个空穴会吸引旁边的电子来到这个位置来填补这个空穴。这样，就形成了一个正电荷的积累区，这个积累区会产生一个反电场来阻止进一步的载流子流入基区。这个过程会一直持续到所有的载流子都被陷阱捕获为止。IGBT型结构和工作原理IGBT的结构是由一个NMOS（金属氧化物半导体）和一个PNP双极结组成的。NMOS的结构是在一个N型的半导体上生长一个绝缘层（通常是用SiO2），然后在绝缘层上生长一个多晶硅的门控栅极。这个门控栅极控制着下面的通道开关状态。PNP双极结是由两个高浓度的P型半导体组成的，一个是发射区一个是集电区。当NMOS的门控栅极被触发（通常是通过一个电压信号），NMOS的通道会打开，电流会从发射区流向集电区。这个电流会触发PNP双极结的导通
